勾起玩家的回忆 历数史上最经典内存(4)

http://www.sina.com.cn 2007年09月11日 08:58  IT168.com
  DDR400时代,三足鼎立

  DDR400内存在内存史上占据时间还是比较长的,直到去年AMD彻底转入DDR2阵营之后,DDR400才开始逐渐没落,但是目前依然拥有大量的升级市场。因此也目前最被关注的内存品种。在DDR400时代,超频内存颗粒继续受到玩家的追捧,其中,华邦BH-5,三星TCCC以及UCCD就为了最受玩家关注的焦点。

勾起玩家的回忆历数史上最经典内存(4)
玩家最熟悉的华邦BH-5颗粒

  BH-5是台湾Winbond(华邦)最出名的内存颗粒,而且也是史上最出名的超频颗粒,可以说是具有非凡的传奇色彩。采用这种颗粒的高端内存都能够在超低延迟下(2-2-2-5)达到较高的频率,超频性能非常强悍。BH-5对电压非常敏感,在3.2-3.4V高压下,少部分采用BH-5颗粒的极品内存甚至可以工作在280MHZ的频率下,并且仍然维持2-2-2-x这样的时序。不过BH-5的产量并不高,而且对电压要求较高,需要主板支持才行。

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名满天下的华邦BH-5颗粒内存

  这款勤茂DDR PC3500 1GB就因为采用了BH-5芯片而被众多玩家所疯抢,这款勤茂DDR PC3500 1GB采用的是双512M的组合,内存采用双面16内存颗粒规格设计,芯片为编号TMD7608F8E44B的华邦BH-5内存颗粒,产品标准工作频率为433MHZ(PC3500),CL延时为2.5个时钟周期,默认时序2.5-3-3-6,默认电压为2.6V。在一些网友的测试中,内存可以在3-4-4-8@2T 2.8V设定下飙升到DDR-620稳定运行,而在比较均衡的2.5-3-3-6@1T 2.8V设定下,内存仍然可以达到DDR520。

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三星TCCD

  除了华邦BH-5外,另外三星的两种颗粒的超频性能也非常强悍。其中就包括了这款被称为BH-5取代者的三星的TCCD颗粒。TCCD颗粒可以实现在较低电压下,大幅提升内存模组频率,其在低频下可以实现极限参数,而在较低的电压下,也实现很高的频率。TCCD对于电压的比较敏感,与华邦BH-5相比,TCCD并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态,在2.8V或者更低电压下即可达成,而且几乎适用于所有的主流主板。TCCD曾经创造了无数的内存频宽记录,并被很多内存厂商采用做为其高端产品。

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芝奇 G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX内存

  芝奇 G.SKILL F1-3200DSU2-1GBFX内存采用的是就是三星TCCD内存颗粒,一对总容量为1G,默认频率为PC3200、DDR400水平,内存参数为2-2-2-5。在媒体的评测中,在延迟设置为2.5-4-4-7时内存可以轻松的稳定在DDR600的频率下,低延迟+高频率令其成为当之无愧的超频王。

  在TCCD获得巨大的成功之后,三星将TCCD改名为UCCD,并应用了无铅工艺技术,目前芝奇主推的极限系列就以采用TCCD颗粒为主,其中F1-4800DSU2-1GB-FF内存是最高端的产品,其默认规格就达到DDR600 1T timing 2.5-4-4-8,性能非常强悍。

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