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英特尔12英寸芯片厂投产 采用最先进45纳米工艺

http://www.sina.com.cn 2007年10月25日 17:43  新浪科技

  新浪科技讯 北京时间10月25日消息,英特尔斥资30亿美元建造的一座12英寸芯片厂周四正式投产,这是英特尔首座采用45纳米工艺的大规模芯片制造厂。

  这座代号为“Fab 32”的工厂坐落于美国亚利桑那州钱德勒市,占地约100万平方英尺,相当于17个足球场大小,员工人数超过1千人,采用最为先进的45纳米生产工艺。目前英特尔大多数芯片都使用65纳米制造工艺,45纳米意味着硅片的同一区域可以安放更多的晶体管,从而实现提高芯片厂生产率,提高芯片运算速度并降低能耗的目的。

  新厂主要生产代号为“Penryn”的芯片,主要用于支持网络运行的PC及服务器,产品预计于11月12日上市销售。

  新厂的投产将使英特尔进一步保持与AMD的竞争优势。目前,AMD仍在采用65纳米工艺,预计到明年才能转向45纳米。

  据悉,英特尔计划最高投资80亿美元升级或建造45纳米芯片厂,其中包括斥资35亿美元在以色列建厂,另投资15亿美元升级位于美国新

墨西哥州的一家工厂,两家工厂均预计于明年投产。(王宇)

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