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日本实验室开发出低成本高性能3G基站晶体管


http://www.sina.com.cn 2004年12月22日 09:08 赛迪网

  作者:云雀 

  【赛迪网讯】12月22日消息 日本富士通实验室有限公司日前为第三代无线系统基站中使用的信号放大器开发出了一种新类型的高性能的HEMTs(高电子迁移率晶体管)。

  因为制造这些晶体管的材料比较便宜,所以它们不但能够提供更高的性能,而且生
产成本也只有现在的大约三分之一。

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