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Z-RAM现身:内存技术取得重大突破


http://www.sina.com.cn 2006年03月28日 12:30 IT168.com

  【IT168 资讯】通常DRAM是由电容与晶体管制成的,电容用来存储数据而晶体管作为数据通向系统的开关部件,这无疑加剧了制造工艺的复杂性。Innovative Silicon Inc(ISi)的新技术使得DRAM以后可以抛弃电容了,这无疑是内存技术领域的一个巨大突破。lostcircuits网站采访了ISi公司国际市场总裁Jeff Lewis。

Z-RAM现身:内存技术取得重大突破

  ISi公司创立于2002年,他们开发出了独家的Z-RAM(零电容RAM)技术,存储在电容器中的电荷会增大浮体效应(Foating-Body Effect),被认为是SOI设计中的最大问题,以及导致SOI高速切换的祸源。ZRAM技术比植入式DRAM技术密度提高2倍,在处理器中使用的SRAM可以提高5倍,然而它不无需特别的材料或额外的生产步骤。

Z-RAM现身:内存技术取得重大突破

  Z-RAM除了可以在处理器制造中发挥作用之外,还可以帮助集成芯片、电路等的制造,包括PC、手持设备、游戏机、通讯设备、摄像设备等都可受益。06年1月份AMD公司已经与ISi达成协议,使用这种技术的AMD处理器有可能达到5M的二级缓存。

由于本访谈牵涉较多RAM技术方面的专业内容,有兴趣的朋友可以自己研究一下。

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