世界上最小的512Mb NAND闪存卡日前在韩国三星电子有限公司诞生。这种0.15微米级的闪存卡堪称存储领域的艺术精品，同时它也是目前业界容量最大的单片集成电路芯片，如果将两个512Mb的闪存卡模堆叠在一起，就能够生产出存储量达1Gb的闪存卡。这一产品将有助于继续加强三星电子在闪存卡市场的竞争力。

　　去年，三星研制开发了0.18微米级的256Mb的闪存卡，并在6个月之后，又推出了容量更大的0.15微米的产品。高耦合元件的开发避免了高压编程，因此，不仅提高了30%左右的数据存取速度，而且还为开发0.12微米的闪存卡奠定了坚实的基础。更重要的是，闪存卡的掩层数量有望进一步减少，而这个数量是决定闪存卡价格最关键的因素。

　　三星电子计划专门为高品质的数码相机、MP3播放器、数字电视和第三代移动电话(3G)开发新型闪存卡。作为一种高密度的存储设备，这种新型闪存卡能够代替硬盘驱动器用于便携式产品，比如PDA(个人数字助理)、掌上电脑和亚笔记本电脑，而硬盘驱动器不能用于这些掌中产品是因为耗电量过高、体积过大、对振动过分敏感等原因。

　　闪存的存储方式分成NOR型和NAND型，前者主要用于存储执行命令，后者用于存储数据。三星电子目前已经拥有全球40%的数据闪存存储器的市场。2000年NAND型闪存卡的全球市场份额约为11亿美元，根据Semico的预测，市场份额的年增长率大约为71%，到2003年将达到55亿美元。这是半导体行业公认的增长最迅速的一部分。

　　三星电子的512Mb闪存卡样品已经下线，并计划在今年的第三季度正式大规模投产。三星电子希望其2001年的闪存卡销售额达到8亿美元。