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三星开发出低价RDRAM内存

http://www.sina.com.cn 2001年09月29日 10:18 ZDNet China

  Samsung已经开发完成更快速、容量更高,以及更便宜的RDRAM芯片,这项技术将让高阶的Pentium 4计算机使用者能以更低的成本享受到更高的效能。Samsung同时指出,希望该芯片也能跨入工作站以及服务器市场。

  这项新的芯片技术,可望帮现有的RDRAM制造商降低成本,Samsung表示。同时这也将平息过去市场对Rambus技术成本居高不下的责难。目前采用RDRAM内存的个人计算机,和采用
SDRAM组装而成的同等级计算机相比,成本大概多出100美金。

  Samsung预计新的RDRAM芯片在明年第二季可以量产。而新的芯片,其密度将达到每片芯片含567MB,而速度将提升到1,066MHz。相较之下,目前的芯片为密度(容量)256MB,速度800MHz。

  芯片的封装会采容量1GB以上的RDRAM同轴内存模块(RIMM)技术。同时,更快的内存也将搭配更快的Pentium 4处器器前端总线(front-side bus)──533MHz,英特尔预计在明年所要发表的新标准。总线(bus)在处理和系统内存之间提供数据信道,而目前的Pentium 4处理器所搭配的时脉为400MHz。

  Samsung表示,新的RDRAM的数据处理速度比标准的内存(266MHz的DDR SDRAM)还要快4倍。

  然而速度虽快,RDRAM却迟迟无法受到普遍的采用,原因在于其量产不足以及过高的组装成本。结果,该项技术就只有在高阶的Pentium 4计算机里才看得到。计算机制造商则选择利用英特尔最近所发表的845芯片组,搭配标准SDRAM,用在大量、而便宜的Pentium 4个人计算机上。

  Samsung计划要用更先进的0.12微米制程技术来降低RDRAM芯片的成本。由于更精密的制程可让芯片更小,每片晶圆(wafer)上可以切割更多的芯片,因此能有效的降低芯片成本。

  RDRAM的新产品和去年六月Rambus所预定的产品计划相符。过去四年来,Rambus公司的目标是要将RDRAM的时脉提升到1.2GHz,达到每秒9.6GB传输率的频宽。

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