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三星开发出两倍于现今DRAM容量的内存芯片

http://www.sina.com.cn 2000/01/04 16:23 互联网周刊

  (eNet消息)三星电子日前宣布已经成功开发出了288兆Rambus DRAM 芯片,在容量上将是其前 代产品的两倍。该产品基于0.17微米工艺。同时,三星电子还完成了对576兆Rambus 内置内存模块的开发工作 ,该产品将包括16片新型芯片。

  三星电子现在生产的是144兆芯片,并计划在今年二月前将其产量翻一番——达到月产量200万片。三星电子的 代表说道,288兆芯片将有望在2000年第二季度投产。


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