三星开发出两倍于现今DRAM容量的内存芯片 _计算机-网络-通信_科技时代

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三星开发出两倍于现今DRAM容量的内存芯片
http://www.sina.com.cn 2000/01/04 16:23 互联网周刊

　　（eNet消息）三星电子日前宣布已经成功开发出了288兆Rambus DRAM 芯片，在容量上将是其前代产品的两倍。该产品基于0.17微米工艺。同时，三星电子还完成了对576兆Rambus 内置内存模块的开发工作，该产品将包括16片新型芯片。

　　三星电子现在生产的是144兆芯片，并计划在今年二月前将其产量翻一番——达到月产量200万片。三星电子的代表说道，288兆芯片将有望在2000年第二季度投产。

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