台联电45nm制程工艺突破：实验芯片诞生

　　【IT168 资讯】据福布斯报道，台联电(UMC)45nm制程工艺取得突破，已经生产出了一块不到0.25平方微米的SRAM芯片。

　　这块实验性芯片采用了改进晶圆蚀刻的193nm的沉浸平版印刷术制造而成，拥有12个金属层，并使用了应变硅技术、三栅氧化层和第二代low-k电介质薄膜，改善了电子迁移问题。

　　UMC计划在明年投产45nm工艺产品，此前台积电在今年夏天就已经使用此技术制造出了45nm实验性芯片。

　　与65nm工艺相比，新工艺可以将芯片的面积减小50％，性能则提升30％，目前Intel、IBM、德州仪器等都披露了45nm制程产品计划。