英特尔拟与镁光科技合建50nm闪存工厂

    英特尔与镁光科技合资建立的IM闪存科技公司昨日宣布，将在明年上半年投建第四座闪存工厂，计划在该厂使用300mm晶圆生产50nm闪存芯片。

    在竞争与挑战日益增长的闪存产品经营环境中，英特尔和镁光均在加速开发闪存芯片。据市场调研机构Isuppli的统计数据，目前在NAND闪存市场位列三甲的三星、东芝和海力士，市场占有率分别达到了46.4%，24.7%和18.5%，而IM闪存科技则始终在追随这些一线大厂的步伐。

    英特人和镁光科技昨日宣布，将在现有的弗吉尼亚州、爱达荷州和犹他州工厂基础上，再于新加坡设立一家闪存工厂。

    新工厂有望在2008年下半年投入运营，届时将在300mm晶圆之上使用50nm制造工艺生产闪存芯片。

    英特尔闪存集团副总裁兼总经理Brian Harrison表示，“对于IM闪存科技能够在短时间内于NAND市场为我们将来的发展做出定位，我们感到很满意。通过实施每年一座300mm晶圆工厂的战略，我们充分期望可以成为NAND闪存市场的顶级制造商。”

    不过，市场竞争远未停止，尤其是在三星加快闪存开发步伐的情况下。今年4月份三星开始生产70nm闪存芯片，随后在6月份发布了60nm（8GB）产品，并在两个月后实现量产。9月份，三星确认已经开发出首款40nm闪存芯片。