作者：余南
一家由英特尔和美光合资组建的公司IM Flash Technologies近日宣布将在2007年上半年兴建第四座闪存工厂。新闪存厂将采用50纳米技术在300毫米晶圆上生产闪存芯片。
由于市场竞争日益激烈，英特尔和美光正在加快闪存业务的开发。市场调研机构Isuppli的数据显示，目前NAND闪存市场上，三星电子占有绝对优势，市场份额为46.4%；东芝和海力士其次，分别为24.7% 和18.5%。
新的闪存工厂将在2008年下半年正式投产，并首先使用50纳米的技术在300毫米晶圆上生产闪存芯片。目前英特尔和美光已经生产出了50纳米闪存样品。
“我们很高兴地看到IM闪存科技公司在很短的时间内就已经发展起来并把我们带入了未来的NAND闪存市场。”英特尔闪存部门副总裁兼总经理Brian Harrison说，“通过每年增加一个300毫米晶圆厂的策略，我们有信心成为最顶尖的NAND闪存制造商。”
IM Flash将在2008年投产50nm闪存芯片
不过竞争对手也在不断发展。三星电子正在以前所未有的速度推进闪存业务的发展。今年4月，三星开始生产70纳米工艺产品；今年6月，他们发布了60纳米产品（容量为8Gb）并很快于8月实现量产。9月，三星宣布已经研制成功40纳米工艺并且发明了一项新的生产技术，该技术可以把闪存芯片生产控制在20纳米范围内。
40纳米闪存芯片可以制造64GB的内存模块，而20纳米技术将可以制造512GB的内存模块。
