三星电子宣布80nm制程1Gbit DDR2量产

    韩国三星公司近日宣布即将量产80nm制程1Gbit DDR2内存颗粒。现有的1Gbit内存芯片都在90nm下制造，尺寸为11×18mm。而新的80nm 1Gbit颗粒面积则只有11×11.5mm，封装后尺寸接近于原有的512Mbit颗粒。由于尺寸的减小，成本及售价也会降低。由于1Gbit内存颗粒通常会16颗一起组成2GB容量内存条，一次此举即将导致市场2GB和4GB内存条的售价下跌。　

    据市场调查机构Gartner预测，世界范围DRAM内存芯片市场总价值，在今年将达到287亿美元，而到2008年则有望飙升至378亿美元，届时1GB容量DRAM将占据36％的市场。

    现在尚不清楚内存厂商何时会推出基于80nm 1Gbit颗粒的内存模块，但预计至少到Vista上市时，大容量的内存需求一定会有一个高峰。