天极网9月22日消息 三星电子本星期展示了两种内存芯片的原型产品。这些芯片表明，三星电子能够继续缩小电路的尺寸。
三星电子展示了一种采用60纳米工艺制作的8GB闪存芯片和一种采用80纳米工艺制作的2GB DDR DRAM内存芯片。这两种芯片在各自的市场都比目前的芯片容纳更多的数据，而且芯片的尺寸比目前的芯片都小。这样，这两种芯片比目前的同类芯片价格更便宜，功能更强
大。这种闪存芯片能够让消费电子产品设计厂商在一个存储卡中存储16GB数据，相当于存储16小时的DVD质量的视频内容或者4000首MP3歌曲(每个歌曲5分钟)。目前闪存芯片的最大容量为4GB。
然而，这两种芯片都是原型产品。芯片厂商今年年初才开始采用90纳米生产工艺。80纳米芯片的推出至少还需要一年的时间，65纳米芯片至少要在2005年年底才能推出。
不过，这个结果表明，在闪存和内存市场处于领先地位的三星电子将像英特尔利用其在处理器市场的生产优势一样继续推进生产工艺的进步。总的来说，三星电子已经成长为仅次于英特尔的第二大芯片厂商，并且在闪存市场与英特尔展开了激烈的竞争。三星电子还努力生产更多的用于掌上设备的处理器，进一步加剧了与英特尔的竞争。
三星电子半导体业务部门首席执行官黄昌圭曾指出，从1999年以来，闪存芯片的存储密度每年增加一倍。在三星电子内部，人们把闪存芯片密度提高这样快的能力称作是“黄氏定律”。(完)
