美光正在提升1z纳米DDR4内存的产能

美光正在提升1z纳米DDR4内存的产能
2020年05月14日 12:28 cnBeta

原标题:美光正在提升1z纳米DDR4内存的产能 来源:cnBeta.COM

DigiTimes 援引“知情人士”的话称,存储器制造大厂美光科技(Micron)正在扩大对中国台湾地区工厂的投资,以提升 1z 纳米 DDR4 DRAM 的产能。作为该公司的最新工艺,其在存储密度、能效、速率等方面均有较大的提升。据悉,1z 纳米的标准制程节点在 12 ~ 14 nm 之间,而 1y 纳米的制程节点在 14 ~ 16nm 之间。

资料图(来自:Micron 官网)

报道称美光在台中工厂的 1z 纳米产能正在爬坡,且当前专注于制造面向台式机和笔记本电脑的 16Gb DDR4 DRAM 。

同时该公司计划在桃园工厂推动 1y 纳米制程的量产,以及在日本广岛工厂努力生产面向移动平台的低功耗内存产品。

未来 1 ~ 2 年,美光还将在 1z 纳米制程节点上打造大部分早期的 DDR5 内存产品。

在 DDR5 的需求变得旺盛之前,该公司仍有足够的时间来打磨成熟的 1z 纳米 DDR4 产线。

美光纳米
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