原标题：东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET 来源：汽车电子应用
近日，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET——TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202004/411571.htm
新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于3月30日开始出货。
由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。
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