中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

中国企业自主研发的内存芯片亮相美国
2018年08月09日 16:05 参考消息

韩媒称,中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片,将在美国硅谷首次公开。中美贸易战之下,中国半导体企业宣布进军市场。据韩国《朝鲜日报》网站8月7日报道,据悉,清华紫光的子公司长江存储(YMTC)从8月7日(当地时间)出席美国《美国的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)》,公开32层、64层3D NAND。YMTC的CEO杨士宁7日作主旨演讲,介绍新产品。

原标题:出海记| 中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

中国产NAND将提高产量

报道称,YMTC此次公开的NAND当中,32层产品将于下半年进入试产阶段。目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品。半导体业界认为,企业技术水平上,韩国比中国领先3年。

报道称,YMTC透露,新产品使用的是3D NAND架构创新技术Xtacking,有效提高了数据处理速度。

报道称,YMTC计划先在位于武汉的工厂进行生产,后将在南京建厂,从明年开始提高产量。中国的NAND进入市场已成为不可阻挡的趋势,市场调查机构预测认为,NAND价格到明年将持续下降。

报道称,中国政府为2025年内存半导体自给率提高至70%,已投入资金达1000亿美元。

报道称,业界人士表示:“中国企业先攻占电脑等低价产品市场,日后将进入服务器等高价产品市场。”

韩企积极扩大投资留住人才

报道称,韩国两大半导体生产商三星电子和SK海力士为应对中国企业的崛起,正积极扩大投资规模和努力留住人才。三星电子在京畿道平泽半导体工厂开始建第二生产线,计划投资30兆韩币(约为1825亿元人民币)。SK海力士也决定在京畿道利川新建M16工厂,计划投资15兆韩元(约为914亿元人民币)。

报道称,韩国企业也积极开展留住人才的工作,这是为了阻止中国企业以天文数字年薪挖走韩国企业半导体人才。近日,三星显示器起诉中国BOE子公司挖走的员工,韩国水原地方法院对该员工判转职禁止处分,如有违背,向三星显示器每天交纳1000万韩币(约为6万元人民币)。

编辑| 王恩泰

新浪科技公众号
新浪科技公众号

“掌”握科技鲜闻 (微信搜索techsina或扫描左侧二维码关注)

创事记

科学探索

科学大家

苹果汇

众测

来电聊

专题

官方微博

新浪科技 新浪数码 新浪手机 科学探索 苹果汇 新浪众测

公众号

新浪科技

新浪科技为你带来最新鲜的科技资讯

苹果汇

苹果汇为你带来最新鲜的苹果产品新闻

新浪众测

新酷产品第一时间免费试玩

新浪探索

提供最新的科学家新闻,精彩的震撼图片