三星电子将向中国芯片厂再投资80亿美元

三星电子将向中国芯片厂再投资80亿美元
2019年12月12日 21:20 新浪科技

  新浪科技讯 北京时间12月12日晚间消息,据国外媒体报道,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。

  三星的此次投资正值全球内存市场预计于明年反弹之际。据预计,由于供应有限,以及对5G设备和网络需求的不断上升,明年全球内存芯片市场将出现反弹。

  三星是世界上最大的NAND闪存芯片制造商,NAND闪存芯片可以永久保存数据,普遍用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中。

  三星2017年曾宣布,未来三年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。在此之前,三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元。

  此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资,之前的 108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元,第一阶段投资约70亿美元,第二阶段为80亿美元。

  二期项目预计于2021年下半年竣工,建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元。

  三星在NAND闪存领域的竞争对手包括韩国的SK Hynix、美国的美光科技和日本的东芝公司。此外,几家中国公司也曾试图进入该市场。

  今年9月,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。(李明)

新浪科技公众号
新浪科技公众号

“掌”握科技鲜闻 (微信搜索techsina或扫描左侧二维码关注)

创事记

科学探索

科学大家

苹果汇

众测

专题

官方微博

新浪科技 新浪数码 新浪手机 科学探索 苹果汇 新浪众测

公众号

新浪科技

新浪科技为你带来最新鲜的科技资讯

苹果汇

苹果汇为你带来最新鲜的苹果产品新闻

新浪众测

新酷产品第一时间免费试玩

新浪探索

提供最新的科学家新闻,精彩的震撼图片