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英特尔美光拟建NAND闪存基地 挑战三星东芝


http://www.sina.com.cn 2006年03月20日 16:06 赛迪网

  【赛迪网讯】3月20日外电消息,英特尔一名官员日前表示,英特尔计划与美光科技共同投资新建一座闪存片生产基地,所生产的闪存片主要用于MP3等目前大受欢迎的数码电子产品。

  据美联社报道,英特尔闪存集团副总裁布莱恩-哈里森表示,计划投资的闪存基地名为“IM 闪存科技”(IM Flash Technologies),两大微芯片巨头试图通过合资挑战当前全
球闪存市场的领先厂商韩国三星和日本东芝等。哈里森表示,与美光合资闪存基地的选址还没有最终确定,不排除落户亚洲的可能。哈里森日前在接受道琼斯在线电话采访时表示:“我们正在全球范围内物色合适的厂址,因此目前还不能排除任何一个地区。”

  哈里森表示,新基地将主要生产NAND型闪存片,预计2008年底或2009年初量产。他还表示,2007年之前,现有三座基地的产量也将大幅增加。去年11月,英特尔与美光科技宣布组建合资公司,主要满足NAND闪存片市场的巨大的需求。在新公司中英特尔持股49%,美光持股51%。目前,双方位于美国爱达荷州西北部的合资公司已开始生产闪存片。

  分析人士指出,三星与东芝目前占有全球NAND闪存市场75%的份额,英特尔与美光科技如果打算从前者手中抢夺市场份额,首先必须大幅增加产能。闪存市场全球排名第三的韩国现代

半导体公司也在大力扩充产能。(c000)

  作者:啸风

爱问(iAsk.com)



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