【赛迪网讯】世界第三大半导体制造商ST微电子公司披露其用0.13微米技术制造的第一款闪存的有关详情。

　　新器件将使移动电话等无线应用中的使用实现最优化，它目前已实现工程样品量供应。ST公司计划在2002年第四季度实现批量生产。

　　采用0.13微米技术这一举动表明ST公司在重要的闪存市场取得重大进展。闪存用于移动电话、机顶盒、个人计算机和汽车引擎管理以及其它许多应用之中。它与目前的0.15微米闪存技术相比有两大好处：内存单元尺寸大为减小，单片外围CMOS电路的性能有了极大提高。这种电路使数据可以从内存阵列中读取和写入。

　　在0.13微米新技术中，每个内存单元的面积减至0.16平方微米，比上一代技术缩小了50%。

　　这使64Mbit内存的芯片尺寸相应减小40%，较大内存的减小幅度则更大，这将极大减少每比特的成本。

　　单元设计采用频道消除(Channel Erase)机制，这已为ST公司上两代技术所证实。采用这种机制，在进行内存写入时功耗最低，又不影响写入速度，这在移动应用中非常重要。

　　单片外围CMOS电路已针对移动电话和其它无线应用中使用的1.8伏电源做了优化。

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