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东芝明年二季将推出0.09微米闪存芯片

http://www.sina.com.cn 2002年10月11日 10:19 赛迪网

  【赛迪网讯】SanDisk公司和东芝公司近日共同宣布,将联合开发基于“与非”(NAND)技术、用0.09微米工艺制造的闪存设备,这将使一代新型产品的问世成为可能。

  SanDisk公司和东芝公司期望在2003年第二季度推出0.09微米产品的样品,投产计划定在2004第一季度。

  东芝公司存储部总经理Masashi Muromachi说,0.09微米闪存装置的集成将促成一批使新型低成本掌上电脑、移动电话、数码相机以及其它产品的诞生。

  他在一份声明中说:“我们要继续把精力和资源用于开发,我们已经正在开发未来一代和尖端技术,包括0.07微米和0.055微米工艺,以确保功能更强大的‘与非’设备并创建新的应用。”

  SanDisk公司总裁兼首席执行官Eli Harari透露,0.09微米“与非”存储芯片将由FlashVision公司在日本进行生产。FlashVision公司是东芝公司和SanDisk公司的合资企业。


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