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天天报:价格反弹 可能会持续上涨


http://www.sina.com.cn 2006年04月04日 10:45 中关村在线

    据各大市场反馈回来的行情来看,NAND FLASH方面成交量很少,主要是因为现货市场的货源非常少,报价也很少。可能会在近期一段时间内,它的价格可能会持续上涨。DRAM方面,由于外力作用,国内出现变化,价格开始反弹。预测短时间内价格会程缓慢上涨状态,需密切注意。

  深圳市场

  NAND FLASH方面,今天由于现货市场的货源非常少,导致报价很少,市场出现惜售状态,全天成交不大。如果上游货源继续控制,而现货市场通路的库存得不到补充,那么价格上涨将会持续一段时间,因此,我们持乐观态度。

  DRAM方面,在上周末台湾拉动的前提下,今天国内出现变化,价格开始反弹,采购动作比较频繁,导致台湾停止报价,处于观望状态,从目前价格出现支撑来看,短时间内价格将还会缓慢上涨,因此,需要一起注意。

  (以上信息由ChinaDram 提供) 


  香港市场

  由于Nand Flash现货供应突然收紧, 所以今天1G/ 2G/ 4G/ 8G价格出现反弹. 但是, 下午出现获利回吐贸易活动, Nand Flash涨势略为受阻. 同时, 1G/ 2G/ 4G/ 8G Hynix价格分别上扬至$ 4.15/ $ 5.25/ $ 9.10/ $ 17.80.

  DDR方面, 普遍价格也出现相当大的涨幅, 尤其是UTT颗粒及Samsung原装模组. 市场需求明显增加, 但是供应量却不多. 大部份供应商对突如其来的上涨都较为审慎, 不太愿意放出库存. 今天DDR400 32x8 UTT价格暴涨至$1.84. 同时, DDR400 32x8/ 64x8 Hynix亦分别跳升至$ 2.00/ $ 3.85.

  (以上信息由福意国际提供) 

    台湾市场

    今日的DRAM现货市场,512Mb(64M*8)400MHz颗粒价格仍是小幅上扬,连带模块需求也有明显增加,市场需求也较为热络。主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz的价格也小涨至USD2.01/USD2.13。而在UTT(ETT)的部份,成交价格急速攀升,在市场需求的带动下,晚盘价格上涨至USD1.89,交易量明显放大。

    在NAND Flash的现货部份,由于受到现货市场到货量明显不足的冲击下,出现间歇性的缺货,市场出现近日来较明显的需求,而8Gb的部分,更是在现货不足的情形,造成价格明显波动调涨,其它容量的价格也都反弹上涨。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(F9F) / 4Gb(K9K) / 8Gb(K9K) / 8Gb (K9W) /16Gb报价约落在USD4.2~4.3 / 5.3~5.5 / 8.8~9/ 9.1~9.3 / 18.1~18.3 / 28.8~29 / 38.3~39,而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb / 8Gb报价约落在USD4~4.25 / 5.25~5.5 / 8.5~9.4 / 17.3~17.8。

  (以上信息由ChinaDram 提供) 


爱问(iAsk.com)



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