写在大马四上市之前 佳能1Ds系列回顾
前言
近日，有消息称佳能公司加拿大官方网站已将旗舰级数码单反产品EOS-1Ds Mark III列为已停产产品之列，但经过证实并无此事，并表示是“加拿大网站工作人员一次失误”。然而这只是偶然的“失误”吗？从时间上来推算，佳能1Ds mark Ⅲ 自2007年8月正式发布，距今已有4年的时间，也确实到了产品更新换代的时刻，况且新品佳能EOS-1Ds mark Ⅳ的传闻风声四起。由此看来，佳能在今年下半年到明年年初举行重要发布会的可能性非常大，EOS-1Ds 第四代值得期待。
佳能自2002年9月推出1Ds全画幅单反，又相继推出 1Ds markⅡ和1Ds markⅢ 两款EOS-1Ds系列。在此，笔者将就这三款曾创造传奇的数码单反之间的相互继承和改进进行回顾，如果您也是1Ds粉丝就把目光聚焦过来吧！
佳能 EOS-1Ds
佳能 EOS-1DsmarkⅡ
佳能 EOS-1DsmarkⅢ
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超高分辨率 创造数码影像新时代
2002年9月24日，佳能EOS 1Ds正式进入人们的视线，这是佳能第一款全画幅单反相机，其可以拍摄4064×2704分辨率1110万有效像素的超清晰画面，并且EOS-1DS几乎可以满足各种题材的拍摄，从风光到人像，从新闻到婚纱摄影。佳能公司并没有满足于这小小的成绩而是乘胜追击，继而于2004年9月底再发布一款高达1670万像素的EOS-1Ds 的后续产品canon EOS-1Ds markⅡ，又于2007年8月推出了1Ds 的第三代产品1Ds markⅢ，像素提高至恐怖的2110万。佳能在像素上连续创造的奇迹，使我们不得不对这个数码影像技术的领导者佳能公司投去赞赏的目光。
佳能 EOS-1Ds
佳能 EOS-1DmarkⅡ
高性能的传感器和图像处理器
佳能EOS-1Ds 系列单镜头反光数码相机的一大特点就是基于全画幅CMOS传感器的配置。所谓全画幅就是图像传感器的尺寸接近35mm胶片的大小，因此不必在镜头的焦距上乘以某个系数，而是真真正正地利用了镜头的全部成像范围，还原了镜头应有的视角和景深。并且全画幅图像传感器意味着图像传感器的面积较APS-C尺寸的传感器更大，同样像素值下每个像素的面积就会更大，像素间的间距也会更大，加强了感光能力，减少了相互干扰，能够给使用者带来更加纯净的画面和更好的宽容度。
另外，佳能EOS 1Ds MARK III在功能特点上有了更进一步的提升，其CMOS传感器负载了复杂的EOS综合除尘系统，是专为全画幅规格影像传感器特别优化设计的。又融入了Live View实时取景机制，从而令严谨的职业摄影者们也能感受一下实时无障碍取景构图的便捷和乐趣了。
在多年数码相机研发的技术积累之上，佳能推出了DIGIC数字影像处理器，这是佳能EOS数码单反相机的“大脑”，它的出色表现直接带来了EOS的高品质。佳能EOS-1Ds 的目前的三款机型分别搭载DIGICⅠ、DIGICⅡ、DIGICⅢ处理器，得益于佳能的这一创新设计，以往需要在芯片间大量传输的数据变成了单个芯片内部的数据流，DIGIC在最终图像效果、处理速度、耗电量等方面具有非常明显的优势。1Ds markⅡ和1Ds mark Ⅲ 的连拍速度分别达到4张/秒和5张/秒。
佳能 EOS-1Ds
佳能 EOS-1DsmarkⅡ
E-TTL Ⅱ闪光灯曝光控制
佳能在1995年发布一种闪光技术 E-TTL，也就是“评价式透过镜头”闪光测光。 其较TTL和A-TTL优越之处是用于填充闪光。E-TTL在白天摄影时添加微妙和自然的填充闪光方面通常表现较好。E-TTL曝光同时也与当前对焦点相关，理论上更易取得出色的曝光。佳能EOS-1Ds 采用的就是这种闪光技术，而EOS-1Ds Mark Ⅱ和EOS-1Ds Mark Ⅲ均采用了更为先进的E-TTL Ⅱ自动闪光控制系统，它支持佳能EX系列闪光灯和E-TTL II无线自动闪光。E-TTL Ⅱ闪光测光的算法更加智能，它会系统比较环境光线信息和预闪测光信息，如果使用可以提供距离信息的EF镜头，还会参考镜头的距离信息计算闪光灯的输出量，在锁定焦点重新构图时也能保证准确的闪光曝光。通过相机的自定义功能，摄影师可以将E-TTL Ⅱ测光设置为平均测光。
佳能 1Ds
佳能 EOS-1DsmarkⅢ
其它优良性能
佳能EOS-1Ds系列采用了坚固而轻量的镁合金机身，具备优异的电磁屏蔽性能，机身的各处接口都进行密封处理，具有出色的防尘和防水滴性能。它的快门寿命达到20万次，专业摄影师可以完全信赖。
该系列从EOS-1Ds Mark Ⅱ开始继续沿用在EOS-1D Mark Ⅱ上深受好评的双卡槽设计，它支持CF卡（Ⅰ型和Ⅱ型）和SD卡，同时安装两种存储卡时，可以分别存储，也可以同时把数据存储到两种卡内互为备份。双保险设计特殊时候还是非常必要的。
佳能 EOS-1Ds mark Ⅱ
佳能 EOS-1Ds markⅡ
对比参数
|
1Ds |
1Ds markⅡ |
1Ds mark Ⅲ |
发布日期 |
2002年9月 |
2004年09月 |
|
传感器类型 |
CMOS |
CMOS |
CMOS |
传感器尺寸 |
23.8×35.8mm |
36.0×24.0毫米 |
36×24mm |
传感器描述 |
全尺寸1110万像素CMOS传感器 |
高灵敏度、高分辨率、大型单片式CMOS图像感应器，长宽比3∶2；RGB原色滤镜，位于图像感应器前，固定式 |
类型：高灵敏度，高分辨率，大型单片式CMOS图像感应器 |
有效像素数 |
1110万 |
1670万 |
2110万 |
镜头结构 |
兼容镜头：所有佳能EF系列镜头；镜头接口：佳能EF接口 |
兼容镜头：佳能EF系列镜头（除了EF-S 镜头）；镜头卡口：佳能EF卡口 |
兼容镜头：佳能EF系列镜头（EF-S系列镜头除外）（有效镜头焦距与镜头上的显示相同） |
取景器描述 |
取景器类型：玻璃五棱镜眼平取景器；涵盖面达到100%，0.7倍的放大率；20mm的出瞳距离；-3.0 - +1.0的内置视度调节；种可选，标配： Ec-CIII的对焦屏；快速自动复位的反光板；取景窗信息：AF信息、曝光信息、闪光信息 |
自动对焦信息（自动对焦点，合焦确认指示灯） ，曝光信息（快门速度，光圈，手动曝光，点测光圆，ISO 感光度，曝光量，曝光警告），闪光信息（闪光灯准备就绪，FP 闪光，闪光曝光锁，闪光曝光量），白平衡矫正，JPEG 记录，剩余可拍摄数量，存储卡信息 |
类型：眼平五棱镜 |
闪光灯类型 |
使用EX系列闪光灯可以实现 E-TTL 自动闪光 |
外接 |
外接 |
曝光模式 |
程序AE (可偏移), 速度优先 AE,光圈优先AE, 景深优先AE, E-TTL 闪光 AE, 手动, 闪光测光手动 |
程序自动曝光(可偏移)、快门优先自动曝光、光圈优先自动曝光、E-TTL II自动闪光、手动曝光、手动测光闪光 |
程序自动曝光P（可偏移），光圈优先(A)，快门优先(S)，手动曝光(M)，E-TTL II自动闪光，手动闪光测光 |
曝光补偿 |
白平衡包围曝光: +/-3 档（整档调节） |
在±3级间以1/3级为单位调节；在±3级间以1/3级为单位调节(可与自动包围曝光组合使用) |
手动：±2EV（1/3EV，1/2EV步长）(可与自动包围曝光组合使用) |
感光度 |
等效于ISO 100-1250（1，3级可调） |
相当于IS0 100-1600 （以1，3级为单位调节）；ISO感光度可扩展为ISO 50和3200 |
ISO100-1600（以1/3级或整级为单位调节），可扩展到ISO50（L）和ISO3200（H） |
存储卡类型 |
CF卡 Type-I/II；存储格式化 FAT16 或 FAT32（最高可支持2GB CF卡） |
Type I或II型CF卡，SD存储卡 |
Type I或II CF卡/SD卡 |
文件格式 |
DCFS (除了色彩矩阵 4以外) 和 RAW；图像格式：JPEG, RAW, (12比特/通道) |
JPEG、RAW (12位) |
JPEG，RAW（14位） |
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