新浪科技讯 10月11日消息，关于TD-LTE规模试验网中的终端测试，知情人士透露，截止目前，整个测试中都还只是采用单模芯片，且只有上网卡，但情况在好转，首款TD-LTE双模双待手机已出，而且，第三家TD-LTE芯片厂商高通已进场参与测试。

　　进场测试芯片厂商增至三家

　　在TD-LTE终端测试中，芯片是首当其冲。

　　此前，按照要求，在TD-LTE研发技术试验中完成两家系统、两家芯片测试以及两家系统与两家芯片互操作测试(即“2×2”测试)，有关系统和芯片则可进入规模技术试验，其余厂商在满足同等要求时也陆续进入规模技术试验。

　　在今年3月时，TD-LTT芯片厂商实际上有海思、创毅视讯、高通、意法爱立信(微博)、以色列Altair公司、法国Sequans公司、三星(微博)、中兴(微博)微电子、联芯、重邮信科、展讯、广晟、国民技术等等多达13家，分别开发TD-LTE基带芯片和射频芯片等，

　　但是，最终海思、创毅视讯成为首批进场的终端芯片提供商。其中，海思有华为(微博)的背景，前身是创建于1991年的华为集成电路设计中心。

　　知情人士透露，这种局面最近又有改变，即高通已经成为第三家参与测试的终端芯片提供商，由于参与较晚，高通主要是在杭州参与了测试。

　　外场测试最高下行速率达到260Mbp

　　据透露，本次测试的终端只有TD-LTE上网卡。

　　10月10日，中兴通讯宣布，其于日前已在西安外场完成TD-LTE单扇区双载波流量测试，下行速率高达到260Mbps, 成为全球业界首家完成此项测试的LTE设备供应商。这是目前TD-LTE能测到的最高速率，不过，这并非终端测试，且不是在六大建网城市中的测试。

　　实际上，中兴通讯已研发出业内第一款TDD和TD-SCDMA双模双待的LTE手机，并在深圳举行的世界大学生运动会上展示了，但在中国移动(微博)六个城市中参与的测试还不多。

　　预计到明年这种局面将大有改变。(康钊)