英特尔将推65nm手机闪存 手机存储量增一倍 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| http://www.sina.com.cn 2006年04月10日 11:37 ZDNet China | ||||||||||
|
计世网 2007年，采用英特尔公司的超密集NOR闪存芯片制造的移动电话可存储的照片数可能是今天的两倍。英特尔将采用65nm技术实现这种超密集芯片。与标准的90nm闪存相比，65nm芯片不必堆叠两个芯片，可在单个存储层上存储1Gb数据。英特尔公司称，今年第四季度交付这种代号为Capulet的闪存样品，并称将至少比竞争对手Spansion和三星电子提前半年。按照这样的交付计划，65nm闪存的推出与90nm StrataFlash蜂窝存储器芯片的推出仅相隔一年。
三星电子公司日前宣布批量生产70nm 1Gb OneNAND芯片，这是一种广泛使用的存储器件，性能高于普通闪存。三星转用70nm技术以后，与目前整个行业使用的90nm工艺技术相比，生产效率可提高70%。 三星的70nm OneNAND融合了NOR闪存迅速启动及快速读数据的能力和NAND闪存高容量数据存储及快速写的能力。这种70nm器件现在已经用于100多种移动产品，还可用于数字相机、机顶盒和数字电视机。上个月在第三届三星移动解决方案论坛上，三星公司还发布了采用OneNAND的高速存储卡。 |
 | 新浪首页 > 科技时代 > 通讯与电讯 > 英特尔2006年春季IDF专题 > 正文 |  |
 |
|
|
|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
科技时代意见反馈留言板 电话：010-82628888-5595 欢迎批评指正 新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 联系我们 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 会员注册 | 产品答疑 Copyright © 1996 - 2006 SINA Corporation, All Rights Reserved 新浪公司 版权所有 |