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凌特推出低损耗PowerPath控制器

http://www.sina.com.cn 2004年01月20日 11:55 中电网

  凌特公司(Linear Technology)推出 LTC4411 低损耗 Power Path控制器,能够控制一个集成 P沟道MOSFET,为电源切换或负载共享提供近于理想的二极管功能。在导通时,MOSFET的电压降至28mV,比同类别的肖特基二极管低十倍。为了延长的电池寿命、低输入电压运行或产生热量最小化而采取多重电源“或”方式时,可使功率耗散和压降最小化。此外,LTC4411具有多种保护功能,如电流限制、温度保护、以及输入电源的反向电流监测保护,这提高了系统的可靠性。LTC4411的逻辑电平输入管脚简化了微控制器接口,而开路漏极状态管
脚指示LTC4411 的导通状态。该管脚可用于驱动一个外置 P 沟道MOSFET 栅极,以在两个输入电源之间进行转换。LTC4411的工作电压在 2.6V 到 5.5V 之间,采用 SOT-23封装。应用范围包括以电池驱动和 AC/DC 输入的器件、负载共享和低电压备份电源系统。LTC4411 包含一个 140mOhm P沟道 MOSFET。在正常正向运行期间,通过MOSFET 的压降能够被调节低至 28mV。在负载电流高达 100mA时的静态电流低于40uA。如果输出电压超过输入电压,MOSFET 就会被切断,从 OUT 到 IN 的反向电流低于1uA。最大正向电流限制在一个恒定的2.6A(典型值),而内部温度限制电路可在出现差错时保护部件。在关断时,LTC4411 耗电小于25uA。

  中电网


  
 
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