三星电子日前进行了战略调整，将NAND闪存作为其最新技术的推动器，该公司过去一直将其最新的半导体制造工艺用于制造DRAM，。

　　三星上周证实，将在2004年推出70纳米NAND闪存，这比使用同样工艺生产DRAM要早整整一年。三星电子内存业务部执行副总裁JonKang表示，该公司采用70纳米工艺制造的4GbNAND闪存样片将在2004年第三季度面世，并将于该年第四季度限量生产。三星将会使用同等程 度的80纳米工艺生产512MbDRAM，但是将在2005年第三季度之后。他表示，“我们将会把最新的工艺用于制造闪存，时间比DRAM更早。”

　　同时，三星已经使用90纳米工艺生产2GbNAND闪存，这比采用同样工艺生产的DRAM早一年。三星电子闪存业务主管SteffenHellmold表示，该公司正在其韩国200毫米晶圆厂生产2GbNAND闪存，2004年第一或第二季度，将会在其Fab12的300毫米晶圆生产线生产。除此之外，三星的70纳米计划比其对手要早，许多厂商计划在明年采用90纳米工艺。

　　三星电子的许多竞争对手也对此作出了快速响应，Renesas闪存市场部经理TadKeeley表示，该公司将在2004年中期推出90纳米工艺4GbAND闪存样片。AND是Renesas公司的NAND闪存版本，4Gb存储器芯片将会在该公司的300毫米晶圆厂生产。

　　此外，东芝公司正采用90纳米工艺生产ASIC，并计划年底将90纳米工艺用于NAND。SanDisk公司计划在2004年上半年采用90纳米工艺生产其4GbMLC闪存。意法半导体与Hynix将在下个月向一部分客户提供采用0.12微米工艺生产的512Mb闪存芯片，并将于2004年采用90纳米工艺。

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