台积电40nm工艺细节更新

　　今天，我们获得更多台积电40nnm工艺细节。我们获悉，台湾半导体制造公司（ TSMC ）宣布，它将开始为客户提供40 nm芯片代工服务。该公司原本打算采用45nm工艺，但是在AMD、 IBM和英特尔已经采用45nm工艺的情况下，台积电宣布放弃45nm工艺，转向采用更加先进的40nm工艺，为客户代工生产芯片。

　　和目前45nm工艺相比，40nm在制程上前进了一小步。我们获悉，台积电40nm工艺将有侧重功耗的40LP和侧重性能的40G两个方案。其中40LP工艺将主要用来生产无线通信芯片和移动芯片，40G工艺将主要来代工游戏机芯片、图形芯片和其它高性能芯片。

　　台积电高级技术市场总监Jon Wai表示：“我们的技术，可以确保原本45nm芯片完美向40nm工艺转移。台积电投入心力，确保这种转移是透明的，芯片设计师只需要集中精力实现其性能目标。”

　　台积电已经用40nm工艺，拿出了SRAM验证芯片，它有业界最小的芯片尺寸0.242微米，芯片面积比目前的45nm更小，门密度是台积电之前的65nm工艺的2.35倍。台积电40nm工艺采用极端低介电系数材料和193 nm浸没光刻工艺。

　　目前台积电的主要客户包括AMD、Broadcom、Conexant、NVIDIA与威盛，最近Sun Microsystems公司也选择了台积电，来代工生产UltraSPARC处理器。

　　台积电并没有提供采用40nm工艺的客户名单，但是，AMD旗下的ATI有率先采台积电最新工艺的传统，比如RV670芯片成为第一个采用台积电55nm工艺的图形芯片产品，因此，我们预期ATI图形芯片，将在今年年底或者明年年初率先采用40nm工艺。克节点在今年晚些时候或明年年初。