三大内存罕见同时缺货,三星DRAM再涨10%

2017年08月14日 09:36 集微网

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  DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大内存持续供货短缺,创下史上罕见同缺记录。 其中DRAM和NAND内存,更写下史上最长涨势。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201708/362940.htm

  内存业界表示,2008及2015年都出现过DRAM大涨,但多是因跌深或供货商发生爆炸意外所造成的供需失衡,且DRAM和NAND Flash产能会排挤,很少看到两大内存同涨。

  这次DRAM和NAND内存两大内存缺货超乎预期且价格上涨,主要来自数据中心、移动设备及计算机三大领域应用需求强,前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂,造成供货紧缩,DRAM与NAND同时大涨,涨这么久,已写下史上最长纪录。

  除DRAM、NAND Flash外,NOR Flash也因美国二大供货商淡出,加上OLED面板必须导入作为储存保持OLED面板颜色饱和度参数,以及物联网及车用半导体等新应用大增,市场供应到明年都处于缺货。

  近期全球DRAM龙头韩国三星电子通知相关电子委托制造厂,计划调涨第4季移动内存合约价,涨幅近一成,反映DRAM供货短缺仍未纾解,加上地缘政治紧张的预期心理,涨势可望延续至今年第4季。

  不少分析师预期DRAM价格将在本季创高峰,但受到美光桃园N2厂氮气厂纯化设备毁坏影响,DRAM缺货不仅短期难解,价格涨势也超乎预期。

  稍早集邦调查,7月DRAM合约价单月涨幅达4.6%,虽然美光桃园N2厂已陆续恢复生产,美光也计划在未来几个月增产,弥补这段时间生产线影响的缺口。 但据调查,美光桃园N2厂这次受损及报废的12寸DRAM晶圆估计达5万片,且多数以供货给苹果手机和相关服务器用的低功耗移动DRAM,给全球最大移动内存供货商三星填补缺口的机会,并决定在第4季各大手机和移动设备备货旺季,调涨移动内存售价。

  

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