三星预期2010年闪存将超越DRAM

　　天极ChinaByte 9月1日消息 (孙淑艳 编译) 据中国台湾媒体报道，韩国三星电子预期，到2010年在计算机上采用NAND闪存储存数据所占的比例将超过传统的DRAM储存芯片。

　　三星电子表示，与采用DRAM储存芯片相比，今年在计算机上采用NAND闪存的比例仍然较低。但因为基于闪存的技术能够提高计算机的性能，随着英特尔、AMD和微软推出许多支持闪存的产品，预期到2008年闪存在计算机的应用将达到迅速提升。

　　三星电子指出，随着时间的推移，NAND闪存的制造成本将继续下降，混合硬盘(HHDs)和固态磁盘(SSDs)将成为主要的储存装置受到欢迎，在计算机中的采用比例将进一步增长。

　　尽管三星电子预期NAND闪存的应用将迅速增长，但业界观察者对计算机市场NAND闪存的前景表示怀疑。以固态磁盘为例，去年许多闪存制造商预期固态磁盘在计算机市场很快将取代传统的硬盘，但事实证明，由于价格和技术问题，闪存制造商的预期在短期内难于实现。