英特尔2010年将投资400亿美元用于存储NVS

http://www.sina.com.cn 2007年03月11日 10:23 eNet硅谷动力

  【eNet硅谷动力消息】据Electronic News报道, 英特尔(Intel)的闪存事业部高管BrianHarrison向外界发布有关于该公司未来将如何抢占非易失性存储器non-volatile存储(NVS)市场的计划; 这个市场在2006年规模约为200亿美元,预测到了2010将增长至400亿美元。

  英特尔根据NVS以91%的年消耗速度增长,再加上手机、运算各领域的应用与消耗,该公司对于抢占这个市场的目标非常有信心。在NOR方面,Harrison强调英特尔之前已经推出六代MLC产品,并且拥有M18系列能与90、65及45奈米node相容。在06年第四季,该公司更推出第一款65奈米1-gigabyteNOR芯片; 这款芯片的推出距离90奈米芯片只有一年。 在NAND方面,英特尔与美光(Micron)在06年7月合资的IMFlashTechnologies公司推出基于50纳米制程的4GNAND闪存样品。

  展望未来,英特尔非常看好新型态的存储体phase-changememory(PCM)将具有很高的发展潜力,因为它兼具RAM、NOR与NAND的优点。PCM具有write-over的特性,也就是旧有的资料无需先被删除就可直接再写上新的资料。Intel预定在今年第二季开始提供90纳米制程样品与标准样品,在今年底之前可能上市。

  作者:林牧

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