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英特尔下半年推相变内存 速度提升1000倍http://www.sina.com.cn 2007年03月08日 08:27 赛迪网
【赛迪网讯】3月8日消息，据国外媒体报道，英特尔日前表示，今年下半年将向设备制造商提供新一代相变内存样品。 据英国媒体报道，新一代相变内存是一种非易失性的内存产品，它集DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体，因此被业界视为未来DRAM和闪存的替代品。 英特尔闪存部门首席技术官Ed Doller称：“从理想的角度讲，人们需要一种非易失性DRAM产品，而相变内存就十分接近于该目标。” Doller还称，相变内存的读写速度相当于闪存的1000多倍，而能耗只有当前闪存的1/2。目前，英特尔正与意法半导体携手开发相变内存。(c002) 作者：友亚
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