英特尔今日公布45纳米处理器技术细节

　　天极Chinabyte 1月29日消息(方堃) 英特尔将在今天下午向外界正式公布45纳米技术的进度和研发细节。

　　据英特尔方面消息，由于在45纳米晶体管绝缘层和开关闸上取得重大突破，这一突破可顺利实现产品由65纳米向45纳米的顺利过渡。英特尔称已于日前成功开发出基于45纳米技术的试产样品，代号为“Penryn”。该产品目前已经可以成功在Windows、Mac、Linux等平台上执行程序。

　　根据计划，Penryn处理器未来将涵盖笔记本电脑、台式机、工作站和企业市场。此外，虽然下一代45纳米产品功耗减少，但TDP设定却仍保持与现时65纳米产品相同，这意味着45纳米技术将在主频上进一步进行提升。与前一代技术相较，45纳米制程令晶体管密度提升接近两倍，因此英特尔得以增加处理器之晶体管总数，或缩小处理器体积，令产品更具竞争力，而晶体管开关动作所需电力更低，耗电量减少近30%，双核心处理器Wolfdale将内建超过4.1亿个晶体管，四核心处理器Yorkfield达至8.2亿个晶体管。

　　在英特尔的发展蓝图中，将于2007年下半年推出45纳米技术的产品，2009年推出32纳米技术的产品，2011年推出22纳米技术的产品。未来英特尔会在位于美国奥勒岗洲的D1D晶圆厂及美国亚利桑那洲的Fab32晶圆厂率先导入45纳米的生产技术。

　　另据悉，英特尔的竞争对手AMD也于2007年1月正式导入65纳米技术。