不支持Flash

应用推动 存储器重回上升轨道(1)

http://www.sina.com.cn 2007年01月16日 14:45 赛迪网

  【赛迪网讯】全球存储器业的进展起伏性很大。自1998年至2004年期间,明显地有两个峰值,即2000年及2004年,总量均达380亿美元。自2005年开始,全球存储器业进入发展快车道,成为推动全球半导体业增值的主要力量。据iSuppli的最新预测,2006年全球存储器总的市场可达604亿美元,比2005年提高21.5%。其中DRAM为355亿美元,NAND闪存为121.2亿美元。预计2007年全球存储器市场将可能放缓,为663亿美元,比2006年提高9.8%。

  终端应用扩大

  从存储器的定义看应包括DRAM、闪存(NAND及NOR)以及SRAM。继2004年起,全球在DRAM及NAND方面不断扩大投资,至2006年开始产能迅速扩大。

  2005年美国

苹果公司的iPod吹响了全球NAND闪存爆炸式增长的号角。加上芯片巨人英特尔与美光合资兴建IMFlash厂等,让人们重新开始认识NAND闪存的市场能力与地位。

  毫无疑问,终端电子产品中存储器应用范围的扩大,是推动半导体业进步的主要因素。如在PC中,2005年的平均内存容量为625Mb,2006年增为800Mb,预计2007年个人电脑中的存储器平均容量将再增长35%,达1080Mb。

  微软的Vista操作系统的推广将是存储器增长的又一亮点。三星称未来3年内,Vista将带动230亿美元的内存及显存市场。预计在2007年将有30%的PC安装Vista操作。

  另一个推动存储器增长的动力,可能来自全球音乐手机及视频手机的应用。预计全球音乐手机于2007年达8000万部,由此带动NAND闪存市场上升20%。另外苹果公司新推出的iPphone,将结合手机及MP3的功能,前景看好。

  另外从IC Insight最新预测,2006年全球半导体中增长最快的10类产品中,有3种是存储器产品,其增长率均在20%以上。

  其他新的应用,如新帝公司最近宣布的带32GbNAND闪存的硬盘混合型储存装置,既可加快处理器的运算速度,又可使硬盘的使用频率大幅降低,从而增加硬盘的使用寿命,并延长传统硬盘的生存空间。

  投资显著增长

  据SIA报道,全球前道工艺设备投资,2004年为271亿美元,其中按类别分:存储器占33%、Flash占6%、Foundry占31%、IDM占29%。而2005年的252亿美元中,存储器占41%、Flash占11%、Foundry占19%、IDM占29%。

  市场调研公司iSuppli及Gartner对2007年存储器市场颇具信心,认为存储器产品可能在DRAM与NAND之间转换,工艺技术进步已经达80纳米制程,而从成品率考虑,所需的学习曲线时间不会太短,会促使2007年存储器市场处于平衡调节状态。iSuppli预计2007年存储器的资本支出增幅为12%,达241.5亿美元。而Gartner则预计2007年存储器资本支出增7%,达280亿美元。Gartner预测,我国台湾及韩国的厂商投入将超过100亿美元用在12英寸生产线的升级或新建12英寸厂中,其中海力士2007年资本投入40亿美元,与2006年相当,其中六成用在12英寸晶园投资中。无锡的合资厂2007年第三季度可以投产NAND闪存。美光则表示2007年投资40亿美元,其中15亿美元用于IMF合资厂。三星预计2007年存储器市场强劲,整体资本支出会稍高于2006年的71亿美元,除了主要用于三星Line15的最新12英寸厂外,其他用于制程升级。

  尽管业界担心,资本支出加码,势必带动产能的增加。但是人们似乎并不担心过剩,因为全球在2004年及2005年时也曾大手笔地扩产,由于多元化策略的奏效,具有高度弹性生产。预计2007年全球存储器进人80纳米制程,在达到认可良率之前,可自动抑制产能的开出。

  近几年来,存储器业在投资方面没有缩手,美林

证券公司最新预测认为,由于投资的不断扩大,致使全球存储器的芯片生产线的数量增加,产能扩大。

  技术进步加快

  作者:莫大康

  全球存储器基本上可看成两大阵营,三星、海力士以标准DRAM为主,而东芝及新帝、英特尔及美光以NAND闪存为主。两大阵营对决,互不相让。东芝誓言拿下40%市占率,加上巨人英特尔的Robsons技术将在2007年第二季度问世,所以2007年大战在即。全球存储器业有6大组合骨干厂,如三星、海力土、东芝和新帝、英特尔与美光、瑞萨与力晶、奇梦达和中芯国际。其中三星和海力士是以标准DRAM及NAND闪存并重,2007年在Vista推动下,可能以DRAM优先。而东芝和新帝及英特尔和美光则以NAND为主。东芝记取过去在景气低迷时缩减投资教训,此次在NAND闪存中下足猛药。从2006年的第三季度看,全球NAND排名中,三星占43%,而东芝仅占27.8%。但是东芝是全球NAND的技术倡导者,预计在2007年之后,将再增扩4座NAND厂,这样,东芝将拥有总计8座12英寸芯片厂。美光于2007年的40亿美元投资中,有15亿美元将用在IMF中。英特尔的Robsons技术以PC应用为主,目的是弥补硬盘的效能不足。Robsons技术主要能将硬盘与NAND闪存结合在一起,作为电脑中储存媒介。原英飞凌的奇梦达及中芯国际均采用非主流的NROM技术,主要来自以色列的Saifun,与三星及东芝相比,NROM技术在成本及效能上都逊色。

  存储器业中另一技术进展快的表现为12英寸比重升高。由于12英寸生产线的

性价比已经转为优势,估计将有30%的8英寸存储器芯片生产线在2007年出局。全球存储器业中拼的是资金投入及管理水平,即成本控制。三星试图力守NAND闪存价格,但是2006年12月上旬,高容量MLC制程闪存的价格下跌20%,8Gb及16Gb闪存分别失守10美元及20美元关卡,几乎贴近现货价。

  2007年全球NAND闪存销售额将达141.88亿美元,比2006年提升17%,但平均售价下降达53%。但与2006年的平均售价下降61%相比,仍是相当不错。(本文作者为美国应用材料公司顾问)

  专家观点

  竞争加剧 厂商开始分化

  业界一致认为,全球DRAM市场最不稳定,产品分配持续变化以及需求模式变动,加上半导体技术的日新月异的进步,给投资商带来很高风险。

  全球存储器业间兼并不断,“大者恒大”局面凸显。从上世纪80年代至今,由于竞争激烈,只剩下数个大家。如今从表面看,全球存储器业红火,投资居首位,但是持续的价格下降压力以及拚巨额投资,造成几家欢喜几家愁。

  近期的表现,如台积电及中芯国际欲加入NAND闪存代工俱乐部。而另一面,奇梦达及瑞萨却近期宣布暂时退出NAND闪存的竞争。两个方面孰是智者,实在无法预言。

  近期我国台湾拓璞产业研究所发表如下看法,认为全球存储器业由5大集团主导,三星、美光、海力士、英飞凌及尔必达。在供给方面,预计2007年中8英寸厂的自然淘汰率将占20%至30%。目前产品组合比例将成为2007年中存储器供需缺口的最大因素,取代以往制程良率改善进度因素。并认为虽然2006年的DRAM市场达355亿美元,比2005年的308亿美元上升达15%,但是在DRAM工艺制程缩小方面,由于硅材料的物理特性限制,在70纳米制程时要提升良率不易,均不易超过50%。因此,反而给台湾地区的存储器厂留出缓冲时间。估计台湾地区的5大存储器厂,在2006年的投片总量达354.7万片,较全球5大厂的500万片并不逊色,所以台湾地区DRAM业在全球的市占率因12英寸产能的扩充,2006年时为15%,而在2007年时可达20%。台湾地区DRAM厂全力建造12英寸厂的最大原因,是希望能借产能及成本优势,在营收及获利上脱颖而出,不再像过去跟随着国际DRAM厂营运表现而上下起伏。

  SEMI在2006年1月公布的全球12英寸生产线,按地区分布台湾地区以26%居首位,超过美国的15%、日本的13%以及韩国的21%。反映我国台湾在存储器业中欲与韩国争个高低,这也是一场赌博,结果很难预料。就目前的水平,韩国依仗三星及海力士,在全球存储器业中市占率近50%,而我国台湾地区5个厂加在一起仅占15%,尚有相当大的差距。

  全球存储器业起起伏伏,近期渐入佳境,导致众多厂商扩大投资,频下赌注。之所以如此看好存储器业,基于PC中双核和Vista的推广,导致内存的平均容量增加以及NAND闪存与硬盘结合未来有可能替代目前的硬盘。另一个是手机与MP3的结合及手机的视频功能,将大大推动NAND闪存的应用范围。然而,不可忽视的是存储器的价格下降速度快以及投资过大过快,供过于求的局面迟早到来,所以存储器业的风险甚高。我国台湾地区的存储器业欲与韩国争个高低,结果很难预料。但是,可以预期在未来的两年内,存储器仍是全球半导体业增长的主要动力。(n101)

  作者:莫大康

爱问(iAsk.com)
不支持Flash
 
不支持Flash