三星成功开发1G移动DRAM芯片 07年二季量产

　　天极网 12月28日消息(羽人 编译) 据国外媒体报道，全球最大的内存芯片制造商三星电子周三表示，它已成功开发出了1G移动DRAM内存芯片，这种内存芯片与其前代产品相比更薄，且能耗更低。

　　三星在其声明中说，这款新型内存芯片比现有产品至少薄20%，堆叠了两块512MB芯片，但是其能耗与前代产品相比少了近30%。三星称，该新型内存芯片可以广泛应用于先进

的手机应用中，还可用于数码相机、便携式媒体播放器以及便携式游戏机产品中。

　　三星还表示：“公司计划于明年第二季度开始量产该新型内存芯片，届时高密度1G移动DRAM芯片的需求预计将非常旺盛。”(完)