涉嫌操纵价格 三星半导体高官入狱并罚款

　　天极网 12月22日消息(他山石 编译) 据国外媒体报道，美国司法部本周四宣布，由于共谋操纵DRAM储存芯片价格，韩国三星电子美国子公司三星半导体公司的最高官员将被监禁十个月并支付25万美元的罚款。

　　法院的记录称，由于与其他公司共谋操纵DRAM储存芯片价格，违反了美国的《谢尔曼反托拉斯法》，三星半导体总裁Young Hwan Park同意认罪。

　　Park先前担任三星公司销售副总裁，在美国司法部进行的共谋操纵价格调查中，他是第五个同意美国司法部判处监禁的三星官员。自2003年12月份以来，在对共谋操纵DRAM储存芯片价格的调查中，美国司法部起诉了四家DRAM储存芯片制造商和十八个人。

　　据美国加州旧金山北区联邦地方法院周四的重罪文件显示，在2001年四月至2002年六月期间，Park与其他储存芯片制造商的员工共谋操纵了向OEM(原始设备制造商)销售的DRAM芯片的价格。(完)