台积电和中芯国际进军闪存市场 | ||||||||||
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http://www.sina.com.cn 2006年11月25日 09:17 ChinaByte | ||||||||||
天极网11月25日消息(他山石 编译)据国外媒体报道,台积电和中芯国际正在积极的进入闪存市场,先前台积电已经开始制造NOR型闪存芯片,中芯国际将利用以色列Saifun半导体公司提供的技术生产NAND闪存。 台积电在台南科技园区200毫米Fab 6 晶圆工厂生产NOR闪存芯片,为了提高产能,明年它还将在300毫米晶圆工厂生产NOR闪存芯片。台积电首席执行官蔡力行(Rick Tsai)表示,
本周四中芯国际和以色列Saifun半导体公司宣布,将利用Saifun半导体的每单元四比特Quad NROM技术推出8GB储存容量的 NAND芯片,预期2008年新产品投放市场。 Saifun半导体表示,它的Quad NROM技术制造出的芯片储存容量是传统储存单元的二倍,由于简化设计架构,制造成本大幅度降低。 上月份台积电首席执行官明确表示,考虑到闪存将能够使公司获得更多新的收入和利润,台积电对闪存市场很感兴趣。 |