科技时代新浪首页 > 科技时代 > 业界 > 正文

台积电和中芯国际进军闪存市场


http://www.sina.com.cn 2006年11月25日 09:17 ChinaByte

  天极网11月25日消息(他山石 编译)据国外媒体报道,台积电和中芯国际正在积极的进入闪存市场,先前台积电已经开始制造NOR型闪存芯片,中芯国际将利用以色列Saifun半导体公司提供的技术生产NAND闪存。

  台积电在台南科技园区200毫米Fab 6 晶圆工厂生产NOR闪存芯片,为了提高产能,明年它还将在300毫米晶圆工厂生产NOR闪存芯片。台积电首席执行官蔡力行(Rick Tsai)表示,
明年台积电闪存产品的收入将占到3%至5%。

  本周四中芯国际和以色列Saifun

半导体公司宣布,将利用Saifun半导体的每单元四比特Quad NROM技术推出8GB储存容量的 NAND芯片,预期2008年新产品投放市场。

  Saifun半导体表示,它的Quad NROM技术制造出的芯片储存容量是传统储存单元的二倍,由于简化设计架构,制造成本大幅度降低。

  上月份台积电首席执行官明确表示,考虑到闪存将能够使公司获得更多新的收入和利润,台积电对闪存市场很感兴趣。

发表评论 _COUNT_条

爱问(iAsk.com) 相关网页共约900,000



评论】【论坛】【收藏此页】【 】【多种方式看新闻】【下载点点通】【打印】【关闭




科技时代意见反馈留言板 电话:010-82628888-5595   欢迎批评指正

新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 联系我们 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 会员注册 | 产品答疑

Copyright © 1996 - 2006 SINA Inc. All Rights Reserved

新浪公司 版权所有