三星向意法半导体许可OneNAND技术 | |
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http://www.sina.com.cn 2006年10月24日 23:30 ChinaByte | |
天极网10月24日消息(他山石编译)据外电报道,储存芯片制造商韩国三星电子公司本周一宣布,已经向意法半导体公司许可了它最先进的、注册商标为“OneNAND”的闪存技术。新的技术许可将满足日益增长的、在不同应用中的需求,其中包括无线产品。 根据双方签署的许可协议,意法半导体公司将从明年早些时候使用三星电子的这一技术。三星电子表示,OneNAND架构的特征是NAND闪存核心采用了静态储存器(SRAM)和逻辑元件,效仿了NOR 闪存的界面。在传输连续数据时,它的阅读速度能够达到每秒108 Mbytes,比传统的NAND闪存快四倍,书写速度为每秒10 Mbyte。 三星电子称,“OneNAND”闪存技术更快的阅读和书写速度能够加快导入时间,在手机和计算机应用的非失易性缓存中加快了应用程序的运行时间。(完)( |