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美光欲两年内实现NAND闪存市场份额翻三番


http://www.sina.com.cn 2006年08月15日 08:04 ChinaByte

  天极网8月15日消息(羽人 编译)据外电报道,美光科技公司负责NAND产品开发的副总裁Frankie F. Roohparvar日前表示,公司拟于2007年初量产50纳米NAND闪存芯片,除此之外,公司还将采取更加积极的措施,欲在2008-2009年间把其在全球NAND闪存市场上的份额扩大至10%以上。

  Roohparvar表示,公司已于7月底开始发布50纳米4G NAND芯片样品。明年,美光科技与英特尔的合资企业IM Flash科技公司的首家12英寸工厂将向美光科技提供NAND芯片,该合资企业位于美国犹他州的雷西,于今年年初成立,其生产目标是每月生产20万块晶片。

  市场调研公司American Technology Research的分析师Doug Freedman称,预计IM Flash科技公司将在随后的三四个月时间里宣布另一座工厂的修建地。Roohparvar也称,公司已着手为另一座工厂选址。

  Roohparvar还表示,2008年至2009年间,美光科技在全球NAND闪存市场上的份额将超过10%,公司对此深信不疑。另据市场调研公司iSuppli的数字,今年第一季度,美光科技的市场份额为2.9%。(完)

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