科技时代新浪首页 > 科技时代 > 通讯与电讯 > 正文

飞思卡尔推MRAM芯片 加快存储读写速度


http://www.sina.com.cn 2006年07月11日 08:20 ChinaByte

  天极网7月11日消息(葛雅丽 编译) 为了实现芯片业收入480亿美元的目标,飞思卡尔本周一宣布推出一款具有传统芯片耐度、可以存储大量数据又可以降低能量的MRAM芯片。

  这种MRAM芯片,与闪存不同,MRAM可快速读写字节,而不会降低时间。飞思卡尔称,两个月前就已在亚利桑那的工厂生产出4G的MRAM芯片,包括IBM在内的公司已定购这种产品。

  这种芯片是一种通用芯片,可应用于PC、手机、音乐播放器、照相机、厨房用具、汽车和飞机等产品中。Forward Concepts组织的分析师Will Strauss称:"这是近十年来芯片业最重要的存储产品,这绝对是一种新技术,人们进行开发已有多年的时间,但没有人能真正进行批量生产。"

  Semico研究组织的分析师Bob Merritt称,内存芯片厂商都在开发迅速更快、更小、更廉价而能量更低的产品,"传统的芯片技术已不不适应移动运算平台,这种技术的问世极为重要,会对消费电子和业内期望的更小化形式迈出重要一步。"

  飞思卡尔称,开发这种技术已花了近10年时间,现已有客户要采用这项技术,公司无意大规模生产这种产品,表示可能会向其它公司进行授权。(完)

发表评论

爱问(iAsk.com)



评论】【论坛】【收藏此页】【 】【多种方式看新闻】【下载点点通】【打印】【关闭




科技时代意见反馈留言板 电话:010-82628888-5595   欢迎批评指正

新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 联系我们 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 会员注册 | 产品答疑

Copyright © 1996 - 2006 SINA Inc. All Rights Reserved

新浪公司 版权所有