3秒启动系统不是梦 飞思卡尔研发出磁阻内存

　　【eNet硅谷动力消息】据国外媒体报道，周一（7月10日）对于内存芯片发展是具有里程碑意义的一天。美国半导体巨头飞思卡尔（Freescale）公司对外宣布，他们已经成功研发出了业界所称的“磁阻随机存取内存（magnetoresistive random-access memory，简称MRAM）”，这种内存可以在没有电源情况下保存数据，其速度比现有的闪存还要快。开机几秒钟后登陆Windows将不再是梦想。

　　传统的内存使用电荷保存数据，而磁阻内存则使用半导体的电磁性能存储数据。这种特性和今天的闪存有些类似，不过，磁阻内存的读写速度要快于闪存，此外不会随着时间的推移而丢失数据。磁阻内存还被一些业界人士称为“通用内存”，因为它将可以替代今天使用的几乎全部内存产品，比如使用在计算机、手机、音乐播放器、数码相机、家电设备、飞机和汽车上的各种存储芯片。

　　飞思卡尔

　　事实上，在过去十年里，磁阻内存已经成为内存芯片行业的一个技术热点，很多公司不惜投入巨资展开研究，其中包括美国半导体巨头IBM公司。飞思卡尔公司磁阻内存项目的负责人赛伊德·特拉尼表示，飞思卡尔公司在此项研究中已经用了十年的时间。另外，飞思卡尔表示，他们对于大规模生产磁阻内存兴趣不大，将会把这种技术授权给其他半导体公司。

　　美国高科技市场研究公司“Forward Concepts”的分析师威尔·斯特劳斯表示：“这是过去十年以来最重大的内存技术突破。这是一种全新的技术，业界已经谈论它几年时间，但还没有厂商成功研发出来并交付量产。”

　　目前，内存芯片在今天的世界已经无所不在。不过，不同的内存产品具有不同的优点和缺点，使得他们的应用受到局限。一般来说，每一个电子设备都会使用好几种内存，以弥补各自的不足。静态或动态的随机存取内存芯片广泛用于计算机等设备，它们具有非常快的速度，但在掉电的情况下会丢失全部数据。闪存芯片则常见于音乐

　　美国Semico研究公司的分析师鲍勃·梅里特表示，过去几年里，内存芯片厂商一直在研发速度更快、面积更小，并且能够在掉电时保存数据的存储芯片。梅里特说：“在一个移动计算的环境中，过去的内存技术已经显得力不从心。磁阻内存是一个重大的进步，对于满足消费者和行业内存体积更小的要求至为关键。”

　　媒体分析认为，最终，磁阻内存将会替代计算机中使用的“电荷”随机存取内存。届时，系统启动将在几秒钟内完成，因为系统数据已经保存在内存中，再也不用从硬盘中加载。

　　第一批磁阻内存将会使用在汽车和工业领域，因为这些应用对于内存的可靠性要求非常高。飞思卡尔的特拉尼表示，MRAM非常适合其他数据日志的应用，比如飞机上的“黑匣子”。

　　除了磁阻内存之外，美国其他半导体巨头也在研发类似的技术。比如，德州仪器公司已经和科罗拉多州的Ramtron公司联合开发成功一种高容量内存芯片，他们采用的技术是FRAM，全名是“铁电体随机存取内存”，这种内存在掉电时也可以保存数据。虽然FRAM芯片已经问世了一段时间，但应用领域并不广。德州仪器的一名发言人表示，未来该公司将把这种内存集成到他们的信号处理器或者微控制器中。

　　在过去几年里，已经有一些公司宣布推出了磁阻内存的原型产品，不过在商业量产上一直不见动静。飞思卡尔公司周一的宣布改变了这种局面。Semico的分析师梅里特表示：“在MRAM领域，飞思卡尔公司是第一家能够说出‘我们可以接受订单’的公司。”

　　作者：令狐达