TI公布45纳米制程细节

　　天极网6月14日消息(他山石编译)据外电报道，德州仪器公司日前公布了它最先进的45纳米半导体制造工艺的细节，新的光刻技术使每个晶圆制造出的芯片数量增加了一倍，不但增加了芯片的处理性能，还降低了能量消耗。

　　德州仪器公司表示，通过采用许多专有技术提高了数百万晶体管的性能，使系统集成芯片(SoC)的处理能力达到一个新的水平，新的制造工艺能够使芯片的性能提高30%，能量消耗减少40%。

　　采用45纳米制造工艺和系统集成芯片的综合功能，意味着用户可以体验他的装置增加30%的运作速度，例如在手机上每秒钟可以转化出更多的视频画面，无线用户可以同时运行更多的应用软件，例如在许多运营商参加的视频会议上同时播放 3 维游戏，在后台同步电子邮件等。减少能量消耗后能够延长视频重放时间，手机待机时间可以延长30%。

　　德州仪器公司将在12英寸的晶圆上采用45纳米制造工艺，明年首款系统集成芯片的样品可以面市，到2008年中期，将制造出最初的产品。(完)