下一代非易失性存储器 | |
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http://www.sina.com.cn 2003年12月26日 13:38 计算机世界网 | |
随着数码相机、PDA等掌上数码设备的迅速普及和移动存储的飞速发展,NAND与NOR闪存(FlashRAM)的性能已逐渐满足不了市场的需要,新一代非易失性存储器则崭露头角,它们分别是已率先大规模应用、以铁电容为存储核心的FeRAM(铁电随机存储器),正在开发的以相变技术为核心的OUM(奥弗辛斯基效应统一存储器),以及被人寄予厚望的以磁阻技术为核心的MRAM(磁随机存储器)。由于它们在读写速度上较目前的闪存有了明显提高,也因此将会威胁传统的易失性存储器(如DRAM)的领地。 |