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朗讯开发成功栅长为50nm的纵型晶体管
http://www.sina.com.cn 1999/12/10 14:09 日经BP社

　　美国朗讯科技的贝尔研究所成功地开发出栅长为50nm的纵型晶体管（论文号码3-6）。其名称为“ver tical transistor”。论文的署名多达31人，足以反映朗讯公司对栅长0.1μm以下半导体开发的重视。该公司在宣读论文时还特意强调“只用现行的技术便可制造出该产品”。

　　纵型晶体管是指在垂直于硅板上方向上生成半导体通道，将现行的晶体管竖立起来的构造。由于这种构造的栅长不依赖曝光装置的光源波长，所以栅长0.1μm以下的晶体管的生成较为容易。该公司这次试制的纵型晶体管的栅长主要由多结晶Si膜的厚度来决定。该公司这次使用的曝光设备是用于0.25μm或0.18μm制造工艺上的光源波长为248 nm的装置。据该公司介绍，理论上可以制造出30nm以下的晶体管。这次该公司除了试制成功栅长50nm晶体管以外，还试制了100nm、200nm的晶体管。

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			朗讯开发成功栅长为50nm的纵型晶体管 http://www.sina.com.cn 1999/12/10 14:09 日经BP社　　美国朗讯科技的贝尔研究所成功地开发出栅长为50nm的纵型晶体管（论文号码3-6）。其名称为“ver tical transistor”。论文的署名多达31人，足以反映朗讯公司对栅长0.1μm以下半导体开发的重视。该公司在宣读论文时还特意强调“只用现行的技术便可制造出该产品”。　　纵型晶体管是指在垂直于硅板上方向上生成半导体通道，将现行的晶体管竖立起来的构造。由于这种构造的栅长不依赖曝光装置的光源波长，所以栅长0.1μm以下的晶体管的生成较为容易。该公司这次试制的纵型晶体管的栅长主要由多结晶Si膜的厚度来决定。该公司这次使用的曝光设备是用于0.25μm或0.18μm制造工艺上的光源波长为248 nm的装置。据该公司介绍，理论上可以制造出30nm以下的晶体管。这次该公司除了试制成功栅长50nm晶体管以外，还试制了100nm、200nm的晶体管。相关报道:半导体生产技术国际学会日前在美召开相关报道:比利时IMEC公司推出MRAM技术相关报道:东芝研制出硅板空洞化技术相关报道:三星电子发表1T1C形式的4Mbit强诱电存储器

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