健圣
天极笔记本曾经在本月初报道了三星推出基于60nm技术制作的最高速及最高容量的"OneNAND"记忆体晶片，可以说三星在NAND技术领域的优势又更进一步。作为同是NAND领域的两股势力，英特尔(intel)与美光(Micron)自然也不能坐吃山空，它们在今年年初斥资12亿美元兴建的IM Flash Technologies(联合内存公司)在近期终于有所作为，不出意外的话，世界上第一款基于50nm工艺设计的NAND闪存即将在这里诞生。
根据国外消息，英特尔与美光计划生产基于50nm工艺设计的NAND闪存，起始容量为4GB，预计在2007年投入量产，届时将与三星的OneNAND展开新一轮的战争。作为NAND的最终受益者，笔记本与新兴的UMPC都可以从中获得更快速、安全、节能的存储环境。
据预计，NAND市场今年的价值可达130-160亿美元，2010约为250-300亿美元，庞大的市场规模势必吸引更多的厂商参与竞争，而只有竞争才能进一步刺激技术的前进与价格的普及，就目前的发展速度来看，我们只要再等个一两年，就可以在主流的笔记本电脑上享受到NAND闪存所带来的极致快感了。
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