飞利浦QUBiC4硅锗处理技术生产首个单芯片12.5Gbps交叉点交换芯片皇家飞利浦电子集团近日宣布推出全新的半导体处理技术-QUBiC4 'G'。该技术完美结合了超高速硅锗技术、无源元器件集成、及备受业界好评的QUBiC4 BiCMOS处理技术的衬底隔离和密集CMOS逻辑功能。

　　QUBiC4 'G'使飞利浦可提供光纤网络行业所需的先进集成电路，与目前对宽带数据通信和多媒体的爆炸性需要保持一致。

　　该新处理技术的QUBiC4'G'晶体管ft和fmax值分别超过75 GHz和100 GHz，可提供10Gigabit以太网和SONET光纤网络等未来应用所需的原始速度。

　　作为领先产品和处理技术的业界领导者，飞利浦已成功采用QUBiC4'G'生产世界首个单芯片12.5Gbps光交叉点交换芯片-TZA2060。低噪音值和低电流消耗等先进性能使QUBiC4'G'适于先进的射频和微波应用。

　　飞利浦半导体先进技术高级总监Neil Morris表示：“新兴市场的需求层出不穷，我们的技术也不断发展，以适应和满足客户的特定要求。这也是我们按时推出硅锗技术的原因，以与宽带通信的迅猛扩展保持同步。在全面开发QUBiC4'G'的过程中，我们与网络业务部紧密合作，以加速推出新产品，我们是第一家向市场上推出TZA2060 12.5 Gbps光交叉点交叉芯片这样先进产品的公司。”

　　QUBiC4'G'为复杂高速集成电路设计人员提供了独特的高/低击穿电压晶体管组合，可进行ft、fmax和噪音值的优化选择。

　　一方面，它包括ft为75GHz和fmax为100GHz的低压晶体管，确保设计高线性放大器和传输门所需的增益和相位边缘。另一方面，它包括高压(BVCE >3.8 V)高频晶体管，可部署VCO等电路或与外部3V逻辑接口。

　　象敏感射频接收器低噪音放大器这样需要超低噪音性能的应用，其硅锗晶体管接收的噪音值低至0.68dB，集电器电流仅为240(A。这一独特的噪音性能和低功耗组合，加上非常高的ft值使QUBiC4'G'成为5GHz-10GHz电池供电无线应用的理想之选。

　　QUBiC4'G'芯片可运行非常高频率和超快速数率，同时，集成无源元器件质量与硅锗晶体管同样重要。鉴于这个原因，QUBiC4'G'具备飞利浦半导体标准QUBiC4处理技术无源元器件集成的全部特性，包括Q因子电感器和5 nF/mm2的钽pentoxide电容器。

　　为满足每秒数据传输对gigabit的特定要求，在头两个厚金属层添加了阻抗匹配传输线以增强这些无源元器件的集成特性。为实现串音和干扰最小化，为QUBiC4开发的浅/深电缆沟技术同样适用于QUBiC4'G'。标准0.25(m CMOS提供了集成高密度逻辑的能力。

　　此外，MEXTRAM 504模型支持QUBiC4'G'晶体管，可在高频状况下准确反映晶体管的性能，并充分考虑雪崩、早期影响和高流行为等因素的影响，以取得right-first-time芯片设计所需的精确电路模型。飞利浦标准0.25(m CMOS工艺还具备扩展的单元程序库，可被移接到QUBiC4'G'，支持逻辑设计。QUBiC4'G'技术现可用来进行设计，将在2002年第三季度开始批量圆片处理。

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