英特尔公司的研究人员宣布制造出全球最小的SRAM(Static Random Access Memory --静态随机存储芯片)存储芯片单元，尺寸仅为1平方微米。这些单元是存储芯片的基本模块，它们是使用英特尔下一代0.09微米(90纳米)工艺制造的全功能SRAM设备的一部分。这一成果对于在2003年采用新型制造工艺具有里程碑式的意义。

　　英特尔高级副总裁兼生产制造事业部总经理Sunlin Chou先生说："英特尔新型的一平方微米SRAM单元为硅技术确立新的密度标准。这一结果使我们在微处理器和其它产品的0.09微米制造工艺方面居于领先地位。"

　　通过使用新型0.09微米制造工艺，英特尔保持了每两年推出一代新工艺的记录。公司将使用这一工艺生产许多其它产品，包括处理器、芯片组和通信产品。英特尔计划只将0.09微米工艺应用在300毫米(12英寸)晶圆上。

　　全球最小的SRAM芯片单元

　　英特尔研究人员制造出的52Mb存储芯片(能够存储5200万独立比特的信息)，在仅为109平方毫米的芯片上集成有3.3亿颗晶体管--比一个一角美元硬币还小。这是迄今为止报道过的容量最大的SRAM。

　　这些芯片在英特尔位于俄勒岗州Hillsboro的300毫米开发工厂(D1C)制造，配合使用先进的193纳米和248纳米液相工具。

　　制造SRAM芯片是业界常用的测试下一代逻辑制造工艺的方式。存储单元的尺寸大小非常重要，因为这使得英特尔可以通过添加更多的片上缓存，增加整体逻辑密度，经济有效地提升微处理器性能。成功生产SRAM同时显示了使用0.09微米工艺生产微处理器时所需要的全部特性都已经成熟，其中包括高性能晶体管及高速铜线互连。

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