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飞利浦半导体推出第三代TrenchMOS技术

http://www.sina.com.cn 2001年09月21日 14:45 新浪科技

  皇家飞利浦电子集团成员之一飞利浦半导体日前宣布,推出第三代TrenchMOS技术,进一步缩小元件间距,从而使最终产品的尺寸得到缩小。

  第三代TrenchMOS技术是一高性能解决方案,采用先进的亚微米处理技术将元件密度增加5倍,达到每平方英寸5000万个元件,同时性能也得到极大改善,产品设计人员可按应用的需要定制MOSFET的性能。

  这一新解决方案为稳压器模块和直流-直流的主要市场提供了最先进的稳压器模块解决方案,再一次显示了飞利浦半导体在Trench技术上的革新和领导地位。

  飞利浦半导体功率产品业务线MOS产品集团经理Ian Moulding表示:“飞利浦半导体不断开发和改进TrenchMOS技术。新技术可进一步增加元件密度,产品尺寸也相应得到减小。有了第三代TrenchMOS技术,飞利浦半导体可充分利用其先进技术满足设计人员对高功率微处理器的迫切需求。”

  第三代TrenchMOS技术适用于众多应用,包括直流-直流转换、稳压和syncFET。由于转换损耗极低,适用于主要的直流-直流转换和稳压器模块控制FET。

  它的低漏源电阻可确保进行有效的二级直流-直流转换,其固有的耐用性还使其适用于汽车应用等恶劣环境。最新的TrenchMOS产品可帮助客户制造针对不同应用进行优化的sub 200V MOS器件。

  最先推出的产品有25V和30V两种,在母板上为先进的稳压器模块应用提供了最佳解决方案,使客户可满足奔腾4和未来新型微处理器对性能的要求。

  新技术的电阻率更低,30V时可降低40%,达到22毫姆/mm2。新处理技术还将元件密度增加了5倍,达到每平方英寸5千万个元件。

  亚微米沟槽宽度降低了漏极栅电容,产生低栅电荷,同时坚固性可提高20%。在松开关功率转换状态下,1kW/ mm2峰值功率可得到处理,支持高达0.1ms的脉冲。

  飞利浦半导体是这一领域的革新者,并致力为客户提供不断改进的沟槽技术和相关产品。第三代TrenchMOS现已被众多新产品采用。第四代TrenchMOS正在开发中,第五代也有了明确的发展蓝图。

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