美国当地时间9月4日，美国摩托罗拉公司宣布，摩托罗拉研究所的研究人员成功地研制出了融合III-V族化合物半导体与硅的新型半导体材料。由此“一举解决了半导体业界在过去30年间悬而未决的难题，开辟了开发低价位光通信元件、高频无线元件的道路”(摩托罗拉公司)。

　　所谓III-V族化合物半导体，是指元素周期表中的III族与V族元素相结合生成的化合物

半导体。由于它的原材料和结晶的生成成本高，与硅相比价格也就相对较高。但另一方面，其优点为具备能够发出激光等目前硅所没有的特性。

　　摩托罗拉研究所成功地在硅基板上生成了III-V族化合物的薄膜。它是通过在硅与III-V族化合物之间插入中间层来实现的。在此之前，由于硅与III-V族化合物因结晶构造不同而容易产生缝隙等，二者的结合难以实现。

　　III-V族化合物半导体含有镓砷(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓等物质。摩托罗拉研究所发现了用于使镓砷(GaAs)与硅相结合的物质的“秘方”。由此也可以减少在两种材料之间产生的变形。另外，摩托罗拉研究所目前还在研制用于结合InP等化合物的物质。

　　摩托罗拉公司对此解释说，使用该技术，“可以带来很多好处，比如在III-V族化合物半导体的制造中，可以加大底板的尺寸，能够减少用于底板和加工方面的成本等”。

　　另外，摩托罗拉研究所还成功地在硅晶片上生成了8英寸的镓砷(GaAs)层。此外还与IQE公司一起在12英寸的硅晶片上生成了镓砷(GaAs)层。并在此基础上开发出了可以投入使用的功率放大器。

　　摩托罗拉研究所已经在9月4日于巴西召开的International Workshop on Device Technology上公开了有关技术，同时9月11日还将在田纳西州召开的Materials Research Society Workshop上公开这一技术。

　　据说摩托罗拉公司正在申请与此项技术有关的270个技术专利。该公司还在制定今后广泛提供该技术的使用授权的计划。

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