【赛迪网讯】英特尔公司日前称，公司的Tri-Gate(三门)晶体管的研制工作正在加速进行并已接近成功。Tri-Gate晶体管是一种可使电流在芯片中更加自由流动并具有广泛前途的晶体管。

　　Tri-Gate晶体管是能够使英特尔公司在未来5年内继续追随摩尔定律的工具之一。Tri-Gate晶体管已经成为英特尔公司未来的发展目标，也就是说，它是公司精选的几个设计方案

之一，该晶体管有望于2007年开始在芯片中使用。

　　英特尔公司官员Ken David称：“我们已经通过了研究阶段，目前正处于研制阶段。”

　　Ken David称，英特尔公司已经在实验室中研制出了电门为30钠米长的Tri-Gate晶体管。与此同时，公司还在开发一种电门为45钠米的新型晶体管芯片。这些芯片将于2007年开始商业应用。Ken David称，到那时，晶体管的电门长度将只有大约20钠米。

　　Insight 64公司分析师Nathan Brookwood称：“这是晶体管尺寸方面的一种全新的尝试。”目前，IBM和AMD公司两家公司正在研制只有2个电门的“finfet”晶体管。

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