英特尔晶体管研究获新突破 产品计划2007年问世 | |||
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http://www.sina.com.cn 2003年06月12日 08:01 新浪科技 | |||
新浪科技讯 美国东部时间6月11日(北京时间6月12日)消息,在本周于日本东京召开的VLSI会议上,英特尔公司称其三极管研究取得突破性进展,这种晶体管可以使电流在芯片中传输得更加自如流畅。英特尔公司的肯—大卫(Ken David)说,公司已经将三极管的开发列为“开创者”计划,这意味着此项技术已经被英特尔公司选中为少数几个将在2007年投入实际生产的技术之一。“目前我们已经结束了对三极管的理论研究阶段,进入了产品开发阶段,新产品计划于2007年问世”。 三极管的成功开发将使得“摩尔定律”在下一个十年中继续有效。摩尔定律是由英特尔的创始人之一乔登—摩尔(Gorden Moore)于1965年提出的,他预言随着晶体管体积的不断缩小,单位平方英寸芯片上晶体管的数目每过18到24个月就将增加一倍。但是晶体管体积变小之后容易产生漏电,使得电池的寿命缩短并导致芯片内部的热量过高。这正是当今的芯片设计领域所面临的一大难题,即如何在晶体管体积缩小的情况下提高电流的效率。英特尔的三极管通过增大电极的表面面积解决了这一问题。电极的表面面积是决定电流流动效率的关键,传统的电极表面是扁平的,电流就象水流一样在其表面下面直接流过。而三极管的电极表面设计为隧道形状,电流流过时接触的是拱形的表面,因此接触面积增大了很多倍,这就使得电力的流动更加稳定,从而带来更多的能量,减少了电流的泄漏和损耗。 英特尔在做试验时,采用了30微毫米长的电极来制作三极管。而目前业内通常采用的是45微毫米长的电极(1微毫米为十亿分之一米)。预计到2007年,晶体管电极的长度将仅为20微毫米。有关分析专家认为,电极长度的变化将对晶体管技术带来巨大影响。 在VLSI会议上还提交了另外一些有价值的论文,比如说芯片生产商Santa Clara开发的10GHz的高频率合成器,可以使无线通讯变得更加清晰和准确。该公司还推出了一种合成器内部的5GHz振荡器,可以明显降低硅芯片的生产成本。晶体管是世界上技术更新最快的产业,英特尔公司表示,尽管该领域新技术层出不穷,但传统的无线电路技术还将会与不断更新的数字电流技术长期并存。(明月)
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