英特尔、索尼、TSMC展示低K技术设计蓝图 | ||
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http://www.sina.com.cn 2003年06月02日 10:39 赛迪网 | ||
【赛迪网讯】在2003 IEEE国际互连技术大会(IITC)上,英特尔、索尼、TSMC、东芝和其它一些主要芯片生产商将展示他们目前或未来的低K策略。 日本的东芝和索尼公司将在大会上作相关报道,报告中所提到的嵌入式DRAM技术主要是涉及旋涂式玻璃法和化学气相沉积法(CVD)低K薄膜。东芝和索尼公司在一些特定产品中一直使用的都是Dow Chemical公司的旋涂式技术,但它们在未来的设计中也许会寻找混和的方 另一种可能的未来方法是使用物理隔离(air gaps)作为低K电介质材料。摩托罗拉、飞利浦半导体和STMicroelectronics公司将呈交有关报告。 在90纳米的阵线中,中国台湾省半导体制造公司将提交相关报告,目前它在90纳米节点中使用的是Applied Materials公司的黑钻石低K薄膜。
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